如何降低模拟量位移传感器中的电路噪声？

模拟位移传感器电路容易受到外界或内部一些随机噪声或干扰信号的影响，如果干扰和噪声比较大，可以与有用信号的大小相比较，传感器电路输出的有用信号就会被淹没，或者由于有用信号和噪声的成分数量难以区分，可能会干扰有用信号的测量。因此，在传感器电路的设计中，抗干扰设计往往是传感器电路设计成功的关键。

低频噪声主要由内部导电粒子引起。特别是碳膜电阻，碳材料中含有许多小颗粒，颗粒是不连续的，电流是流动的，电导率的变化会使电阻的电流发生变化，电弧闪爆产生类似的不良接触。此外，晶体管可以通过类似于电阻中粒子的不连续性和涉及晶体管的掺杂水平的机制来产生类似的突发噪声和闪烁噪声。

半导体结势垒变化引起的电荷电压累积数的变化揭示了电容效应。随着正电压的增加，N区的电子和P区的空穴向耗尽区移动，这相当于电容器的电荷运动。当正向电压降低时，它将电子和空穴移离耗尽区，这相当于电容器的放电容量。当施加反向电压时，耗尽区是反向的。当电流通过势垒时，这种变化会导致流过势垒区域的电流产生小的波动，从而产生电流噪声。噪声的大小和温度、带宽与F成正比。